黑龙江大学微电子学与固体电子学学科,是在1972年成立的半导体器件专业的基础上发展起来的,1986年国务院学位办授予该学科硕士学位授予权。同年,经省人事厅批准为省级重点学科,2003年国务院学位委员会授予该学科博士学位授予权。2009年依托该学科获得了电子科学与技术一级学科博士后流动站。该学科目前具有一支结构合理的梯队,在19名教师中,博士研究生导师3名,硕士研究生导师8名;教授4名、副教授7名,具有博士学位的教师9人,在读博士5名。该学科主要研究领域是传感器微电子机械加工系统(MEMS)、纳米材料与纳米元器件、传感器应用电路与系统以及半导体器件与集成电路等方面。1975年研制的2DCM型硅磁敏二极管和3BCM型锗磁敏三极管获1978年全国科学大会奖;研制的硅磁敏差分电路获1983年国家发明三等奖;1987年完成的硅各向异性腐蚀技术与设备项目获1990年黑龙江省科技进步三等奖;完成的列车偏载探测项目获1998年铁道部科技进步三等奖;已完成国家 “863”、国家自然科学基金、黑龙江省计划项目和自然科学基金项目等16项,出版学术著作8部;在国内外学术刊物上发表学术论文268篇;申请国家发明专利6项,其中已经获得专利权2项;其中1项申请的国际专利：纳米结构开关忆阻器现已被美国专利局受理。近两年该学科承担国家自然科学基金项目1项、国家 “863”计划项目2项、省部级计划项目和厅局级项目多项;两年内发表被SCI、EI检索和国家一级学报学术论文26篇,其中以第一作者发表23篇。

本学科有4个明确、稳定且有一定特色和优势的研究方向：

1)微机械加工系统 (MEMS)。本研究方向的特色是采用MEMS技术研制结型磁敏感器件与力学量传感器。硅各向异性深槽刻蚀技术1987年达到实用化并转让投产。2004年首次采用MEMS技术研制出具有立体结构的磁敏三极管的基础上,2008年2月又成功的研制出在检测磁场的同时又能检测压力的多功能传感器：纳米硅/单晶硅异质结漏和源的MOSFET压/磁多功能传感器,填补了空白。

2)纳米元器件研究。我们提出的双注入纳米忆阻器结构具有自主知识产权,致力于铂纳米线阵列和双注入纳米忆阻器的信息获取和存储理论及其实现技术探索已经有进展,如果在该纳米元器件及其非挥发存储器研发上有所突破,相关的理论研究和新型忆阻器的及其非挥发存储器研究将处于国际领先水平。

3)功能材料与器件。本研究方向主要从事功能材料与器件、敏感功能材料等方面的研究。在功能材料与器件研究方向上,主要开展了以气体敏感、形状记忆合金、压电陶瓷、光催化等功能材料等方面的研究工作,同时展开以气体敏感器件、压电陶瓷驱动微驱动器为内容的研究。

4)传感器应用电路与系统。本研究方向的主要研究内容和特色包括：智能化电子技术与系统、将智能化技术应用于多种检测领域、重点进行虚拟仪器设计开发、控制软件开发,加强微处理器、单片机的技术应用,特别在病因诊断与油田井下探测方面的应用。

目前,该学科教学和科研环境得到了极大的改善,该学科发展势头强劲,已经建成具有学士、硕士、博士三级授予权的学科。该学科与信息产业部第49研究所、哈尔滨铁路局研究所长期合作为黑龙江省和国家的经济建设和人才培养做出了重大贡献,有很好的发展前景。

黑龙江大学微电子学与固体电子学学科,是在1972年成立的半导体器件专业的基础上发展起来的,1986年国务院学位办授予该学科硕士学位授予权。同年,经省人事厅批准为省级重点学科,2003年国务院学位委员会授予该学科博士学位授予权。2009年依托该学科获得了电子科学与技术一级学科博士后流动站。该学科目前具有一支结构合理的梯队,在19名教师中,博士研究生导师3名,硕士研究生导师8名;教授4名、副教授7名,具有博士学位的教师9人,在读博士5名。该学科主要研究领域是传感器微电子机械加工系统(MEMS)、纳米材料与纳米元器件、传感器应用电路与系统以及半导体器件与集成电路等方面。1975年研制的2DCM型硅磁敏二极管和3BCM型锗磁敏三极管获1978年全国科学大会奖;研制的硅磁敏差分电路获1983年国家发明三等奖;1987年完成的硅各向异性腐蚀技术与设备项目获1990年黑龙江省科技进步三等奖;完成的列车偏载探测项目获1998年铁道部科技进步三等奖;已完成国家 “863”、国家自然科学基金、黑龙江省计划项目和自然科学基金项目等16项,出版学术著作8部;在国内外学术刊物上发表学术论文268篇;申请国家发明专利6项,其中已经获得专利权2项;其中1项申请的国际专利：纳米结构开关忆阻器现已被美国专利局受理。近两年该学科承担国家自然科学基金项目1项、国家 “863”计划项目2项、省部级计划项目和厅局级项目多项;两年内发表被SCI、EI检索和国家一级学报学术论文26篇,其中以第一作者发表23篇。本学科有4个明确、稳定且有一定特色和优势的研究方向：1)微机械加工系统 (MEMS)。本研究方向的特色是采用MEMS技术研制结型磁敏感器件与力学量传感器。硅各向异性深槽刻蚀技术1987年达到实用化并转让投产。2004年首次采用MEMS技术研制出具有立体结构的磁敏三极管的基础上,2008年2月又成功的研制出在检测磁场的同时又能检测压力的多功能传感器：纳米硅/单晶硅异质结漏和源的MOSFET压/磁多功能传感器,填补了空白。2)纳米元器件研究。我们提出的双注入纳米忆阻器结构具有自主知识产权,致力于铂纳米线阵列和双注入纳米忆阻器的信息获取和存储理论及其实现技术探索已经有进展,如果在该纳米元器件及其非挥发存储器研发上有所突破,相关的理论研究和新型忆阻器的及其非挥发存储器研究将处于国际领先水平。3)功能材料与器件。本研究方向主要从事功能材料与器件、敏感功能材料等方面的研究。在功能材料与器件研究方向上,主要开展了以气体敏感、形状记忆合金、压电陶瓷、光催化等功能材料等方面的研究工作,同时展开以气体敏感器件、压电陶瓷驱动微驱动器为内容的研究。4)传感器应用电路与系统。本研究方向的主要研究内容和特色包括：智能化电子技术与系统、将智能化技术应用于多种检测领域、重点进行虚拟仪器设计开发、控制软件开发,加强微处理器、单片机的技术应用,特别在病因诊断与油田井下探测方面的应用。目前,该学科教学和科研环境得到了极大的改善,该学科发展势头强劲,已经建成具有学士、硕士、博士三级授予权的学科。该学科与信息产业部第49研究所、哈尔滨铁路局研究所长期合作为黑龙江省和国家的经济建设和人才培养做出了重大贡献,有很好的发展前景。