随着集成电路制造工艺水平的迅猛发展，不同的功能模块，比如数字，模拟，射频电路集成在一块芯片上。然而电源噪声会大大削弱对噪声敏感的电路模块的性能，如改变VCO输出信号的频率和相位，所以必须通过电源管理模块对外部电源进行处理，得到模块所需性能标准的电压[1-3]。

低压差线性稳压器（Low Drop-Out Regulator，LDO）是电源管理中的重要模块，电源抑制比（Power Supply Rejection，PSR）决定了其对电源噪声的抑制能力[4]，由于传统LDO的PSR较低，且需要外接大电容来提高电路的稳定性，不利于集成，所以，高性能LDO相继被提出[5-11]。文献[5]和[6]分别提出一种无片外电容LDO，但电源抑制比较低，不能满足对噪声敏感的射频模块的需求，文献[9]提出了一种利用两个低通滤波器提高PSR的LDO，但面积较大，不利于片上集成。

文中采用UMC 65 nm RF CMOS工艺，引入PSR增强电路，设计了一种用于射频芯片供电的，可片上集成的，高电源抑制比的无片外电容LDO。

1 LDO的PSR分析

传统LDO基本结构如图1所示，主要包括误差放大器（EA），电阻反馈网络（R1，R2），功率调整管MP。

图1 传统LDO电源噪声到输出路径

电源噪声主要通过4条路径传送到输出端[11-12]。路径一是通过带隙基准电路，误差放大器和调整管传送到输出端，此通路的传输函数和带隙基准的电源抑制比PSRbg相关。路径二是通过误差放大器，调整管传送到输出端，此通路的传输函数和误差放大器的电源抑制比（Power Supply Rejection Ratio，PSRR）PSRRe相关，路径一和二的传输函数为式（2）。路径三是通过调整管MP的栅源寄生电容Cgs和调整管，将电源噪声转化为输出电流，从而影响输出电压。路径四是通过调整管有限的源漏电阻rds和漏源电容Cds传送到输出端，路径三和四的传输函数如式（3）所示。

其中，Ae和ωe分别是误差放大器的低频增益和输出极点，gm和rds分别是功率调整管的跨导和沟道电阻，R1和R2是反馈电阻，ZL（s）是输出端等效负载阻抗，He（s）是LDO的开环增益，β（=R2/（R1+R2））是反馈系数。

由（2）和（3）式可得低频段和高频段的总的传输函数可分别近似为：

低频情况下，由于误差放大器的增益Ae较大，式（4）的最后一项较小，即电源噪声通过路径三和四传送到输出端的噪声较小，主要是路径一和二限制了LDO的PSR，即由PSRbg和PSRRe决定，并被反馈电阻网络放大（1+R1/R2）倍，增大PSRbg和PSRRe即可提高低频段LDO的PSR。

中高频情况下，由于运算放大器有限的输出极点，通路一和二对PSR的影响相对较小，故主要是通路三和四限制了中高频情况下LDO的PSR。可通过减小路径三和四对输出的影响，从而提高中高频情况下的PSR。

由于Cgs的存在，调整管MP的栅端电压受电源噪声的影响，若调整管的栅源电压差变化ΔVgs，则输出电压变化为：

如果可以使ΔVgs=0，即调整管的栅源电压差不受电源噪声的影响，则可消除电源噪声通过路径三对输出的影响，提高LDO的PSR。

2 本文提出的LDO

2.1 LDO原理框图

本文提出的LDO框图如图2所示，去掉了传统LDO中反馈电阻R1和R2，LDO的输出直接反馈回误差放大器的输入端。在误差放大器和调整管之间引入了PSR增强电路，采用RC补偿网络保证电路稳定性，在反馈回路引入低通滤波器。

图2 本文提出的LDO框图

2.2 PSR增强电路

如图3所示，虚线左侧为PSR增强电路，虚线右侧为LDO输出级，去掉了传统LDO结构中的反馈电阻R1和R2，LDO的输出直接反馈回误差放大器的输入端。

图3 PSR增强电路

M5的栅端和源端接地，产生极小的泄漏电流，使M4的栅端电压和源端电压几乎相等，则M3的栅端电压和源端电压也几乎相等，令M4的宽长比比M3大的多，此时M3的源漏端等效为一个GΩ级的电阻，与电容C构成截止频率极低的低通滤波器，如图3中等效电路所示。在10 Hz附近，M2栅端电压的大部分噪声被滤除，使其栅端交流小信号等效接地。此种方法构成的低通滤波器，不仅滤波效果很好，而且降低了对电容C值的需求，减小了片上电容和电阻所需的版图面积，适合片上集成。

对于电源噪声Vdd，管子M2相当于一个共栅极放大器，则电源噪声Vdd传递到M2的漏端的小信号为：

其中，gm1和gm2分别为M1和M2的跨导。

本文提出的LDO中，误差放大器采用的是NMOS管输入的折叠共源共栅结构的差分放大器，根据文献[13]的分析可知，该结构对电源噪声有一定的屏蔽作用，使误差放大器的输出端几乎不受电源噪声的影响。故运放输出端，即M1的栅端不受电源噪声的影响，即电源噪声不会通过源跟随器M1传送到调整管的栅端。