本文采用0.18μm标准CMOS工艺设计并制备了一种MOS结构的低压栅控硅基发光器件.该光源器件内部采用n~+-p~+-p~+-n~+-p~+-p~+-n~+的叉指结构,在相邻两个p~+有源区之间覆盖多晶硅栅作为第三端控制电极,用于在源/漏区边缘形成场诱导结,降低p~+/n-well结的反向击穿电压,提高器件发光功率.测试结果表明,该光源器件可以发射420nm～780nm的黄色可见光,在3V的正向栅压下,p~+/n-well发光二极管的反向击穿电压下降到3V以下,光输出功率提高至2倍以上.本文设计的光源器件工作电压较低,并且与CMOS工艺完全兼容,可以与其他CMOS电路共用电源并且实现单片集成,在硅基光电子集成领域具有一定的应用价值.